用afm原子力显微镜观察多铁薄膜中的磁畴翻转的介绍：日本的研究组制备了BFCO钴铁酸铋薄膜（部分铁原子被钴原子置换的铁酸铋），能够在室温中自发形成面外的磁畴结构。通过纳米尺度的磁学表征和机电耦合表征，研究者证实了材料的磁畴能够被电场翻转。
基于磁阻效应的随机存取存储器以及其它一些新型的磁学器件，有望成为快速、高密度、长寿命的数据存储解决方案。如果可以通过电场而不是电流来控制磁场，那么此类器件的功耗将能够被进一步降低。然而，实现电场调控是非常有挑战的工作。
东京工业大学和名古屋工业大学的学者通过具有铁磁性和铁电性的BFCO薄膜，在这一领域取得了进展。薄膜在钪酸钆基底上生长，以减小晶格失配导致的应力。由此制备的单一晶相的薄膜在室温下具有自发形成的面外磁畴。
利用原子力显微镜的磁学表征和机电耦合表征技术，研究团队发现了材料的面外磁畴方向可以被电场方向所调控，而不需要施加电流。这表明材料的电畴和磁畴之间存在显著的耦合作用。
这项发现将有助于开发具有低功耗的MRAM及其它非易失性磁存储器件。
相关技术介绍：
材料局部的机电耦合性质通过afm原子力显微镜的压电力显微术（PFM）获得。PFM测试采用了Asylum Research的技术，“双频追踪模式（DART）”。DART模式能够在增强PFM信号的同时免受样品表面形貌的影响。在样品的同一区域，研究者采集了两幅正交的面内PFM图像（样品方向旋转90度），以及一幅面外PFM图像，以获得矢量PFM信息。
室温下的磁力显微镜图像（MFM）同样是在原子力显微镜上采集的，使用了具有磁性钴镀层的探针。文中的MFM图像反映的是探针在双次轻敲模式扫描过程中的相位信号。而利用配备了加热台的afm原子力显微镜，研究者还在150C°的温度下采集了MFM图像，以证实信号来源于样品和探针之间的磁力，而非静电力。加热台能够非常方便、快速地将样品从室温加热到300C°。