科研人员对自组装的BFO纳米岛阵列进行了可逆级化翻转特性的研究。他们借助原子力显微镜对样品的电学特性以及机电耦合特性进行了表征，实验结果表明这一体系可以创造出稳定的导电畴壁，且其导电性可以变化约1000倍。
铁电材料中的导电畴壁相当于一种特定路径的电荷传导通路，可以用于实现超低功耗的非易失存储器。然而，在级化翻转的过程中对导电畴壁的具体位置以及导电性的**操控仍然具有很强的挑战性。
来自中国清华大学以及其它几所有名高校的研究人员通过探究铁酸铋材料的受控级化翻转行为对这一热点问题进行了深入研究。其研究样品为自组装的斜方变形BFO纳米岛嵌入在铝酸镧上的四方变形BFO薄膜中。
研究人员通过afm原子力显微镜对样品进行了导电性以及局部机电耦合特性的表征，从而在纳米尺度上对其电荷传导以及级化行为进行进一步的研究。结果表明这一体系具有十字形的拓扑受限导电畴壁结构，且其具有两种稳定的电畤形态。在这两种级化形态间的可逆转换可以改变导电畴壁的导电性，且其变化值超过了1000倍。
研究人员对样品进行了超过100次的强/弱导电性状态的转换，并对电流进行测量，其测量结果在几个月的实验周期内仍能保持稳定。这一实验所展示出的高度可重复性与稳定性使得新型铁电纳米器件的大规模商业化生产成为了可能。
研究人员通过多场耦合原子力显微镜的导电模块获取了样品的电流图以及电流-电压曲线。他们使用了铂//铱镀层探针作为顶电级。